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13.1 NMOS 反相器 315
不幸地，基體效應使得空乏式負載不再維持定電流操作，因此反相器的 特性並沒有像原先期望的這麼好。
空乏式負載的電流關係如下：，込工作於飽和區，此其中G爲空乏式元件的臨界電壓。因爲，因此由基體效應的公 式，合併以上三式即可得圖13-11中對應的特性曲線。注意，在此曲線 上，定電流操作的特性將不再維持。
與加強式負載反相器比較起來，空乏式負載反相器具有以下的優點： 第一，佔據較小的晶片面積；第二，具有較高的雜訊邊限；第三，具有 較高的操作速度。基於這些原因，因此在80年代初期，所有的NMOS 邏輯和記憶電路均使用空乏式負載技術。
■例題1
圖13-12(a)爲一電阻式負載NMOS反相器電路。參考圖13-2，以圖解 法分析此電路，並繪出電壓轉換特性且詳細標示其上各重要的臨界點。
圖13-12(a)爲一電阻式負載NM0S反相器電路，而圖13-12(b)爲圖 解分析法。圖中顯示加強式MOSFET的特性曲線及電阻A之特性:稱爲負載線方程式。至於圖中虛線則是MOSFET三極區和飽和區 之邊界，回顧第5章可寫下以下詳細討論：當v, ，MOSFET截止，於是操作點位於®點，於是基體效應使得空乏式負載 不再維持定電流操作，因 此反相器的特性並沒有像 原先期望的這麼好。

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