電子工程資訊

14.2電晶體-電晶體邏輯
圖14-10 TTL反相器在f=0時輸入一由5V變遷至0.2V之負向步階訊 號，圖中所示為t = 0+附近電路之操作狀態。
時候。再者，當込導通而込仍處在飽和時可利用此130Q電阻限制供 應電流。爲解釋此事件是如何發生的，我們考慮閘輸入爲高態而後突然 轉變至低準位的情況。此時，&將以較快的速度關閉(因爲仏的集極將 提供一大電流/^/51給込的基極，以提供込的基極放電）；另一方面， Q3的基極必須經由lkD電阻放電，因此Q、的關閉過程需要較長的時間。 也就是說，在一段很短的時間內，Q4已經打開而込尙未關閉，因此產 生一很大的電流脈衝流經仏和&的串聯組合；若置入130D電阻，則 可將此電流限制到約30mA。當然，此電流的一部份也需要對負載電容 充電至邏輯1準位。
14.2.2轉換特性
圖14-11(a)顯示TTL閘以片斷性線性型式畫出近似的電壓轉換特性。而 眞實的轉換特性當然是一平滑曲線，這部分有興趣的讀者可參閱SPICE 電子電路模擬(參考書目9)第14章，將發現精確轉換特性與圖14-11(a) 間仍有些許差異。以下我們將解釋此轉換特性並計算不同的折斷點和斜 率。假設此閘的輸出端爲斷路，首先考慮第I區，其結果與圖14-8所示 輸入低態的分析相同。由先前的分析得知&飽和，仏和必截止，以及 込和D導通，見圖14-11(b)。此時的輸出電壓約等於Fce減去兩個二極 體壓降，即V0H = 3.8V。請注意，在點©時，因爲込基極的電壓達到
在點©時，因爲Q、_基極 的電壓達到0.6V，所以 &開始導通。

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