電子工程資訊

14.2電晶體•電晶體邏輯
圖14-12圖14-11(a)轉換特性中當1.2時的分析。
的估計。此外，Vol = 0.1V，二 1.4V。因此，雜訊邊限之値分別爲NMn =VOH - V,,, = 2.4V和NMl = V„ - VOL = 0.4V。這裡必須注意’這些數値是 在此閘不接負載以及不考慮供應電源値和溫度變化的條件下所計算出 來的結果。
14.2.3    TTL邏輯閘
圖14-13顯示一基本TTL閘，在其外觀上最値得注意的部份就是在輸入 所使用的多射極電晶體(multiemitter transistor)^,。由圖14-13的閘電路
可以很容易證明它所執行的是一個NAND。也就是，若僅有一(或兩者 同時)輸入爲低態，則輸出高態；若兩輸入均爲高態，則輸出低態。
雖然由理論上來說，一不使用的輸入端讓它開路即可，但實際上卻有 問題。因爲開路輸入端之行爲就好像一天線(antenna)，將會接收干擾訊 號且可能造成錯誤的閘切換。如欲避免此問題發生，可將一未使用的輸 入端經由一電阻接至正電源，則G所對應的射基接面爲逆向偏壓，如此
對閘的操!將不造成影響。例如，若J端不使用，也就是欲實現一布林 函數F =死，則必須在輸入端X與電源Vcc間置入一 lkQ的拉上電阻。
另一方面，爲了避免由於電源供應器的暫態造成射基接面崩潰且電流過 大，遂置入一 lk_Q的串聯電阻以限制此狀況發生時的電流。

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